Làsersde diferents longituds d'ona tenen diferents característiques i aplicacions. Per tant, els làsers s'utilitzen àmpliament, incloent, entre d'altres, la investigació mèdica, científica, la fabricació industrial, les comunicacions, l'exèrcit i altres camps. Per exemple, en l'àmbit mèdic, els làsers de llum vermella es poden utilitzar en mamografies mèdiques; en el camp de la investigació científica, es poden utilitzar làsers de diverses longituds d'ona en el processament fi de materials. En general, les característiques i aplicacions dels làsers de diferents longituds d'ona estan determinades pels seus principis de funcionament, per la qual cosa en aplicacions pràctiques, cal seleccionar el làser adequat segons les necessitats específiques.
La classificació principal dels làsers es pot distingir segons el medi de treball, la potència de sortida, el mode de treball i l'amplada del pols. Tanmateix, la classificació més comuna és per mitjà de guany, incloent làsers de gas, làsers líquids (làsers de colorant), làsers sòlids i làsers de semiconductors.
La substància de treball dels làsers de gas és el gas. El més representatiu és el làser de diòxid de carboni. El medi de guany és l'heli i el CO2. La longitud d'ona del làser generat és de 10,6 um. S'utilitza principalment per a la soldadura de materials no metàl·lics (tela, plàstic, fusta, etc.) en màquines de tall i litografia.
Els làsers líquids també s'anomenen làsers de colorant. Les seves substàncies de treball són determinades solucions de colorants orgànics. Les longituds d'ona de sortida són majoritàriament llum visible o llum infraroja propera. S'utilitzen en recerca mèdica, científica i altres camps.
El material de treball d'un làser d'estat sòlid és un centre luminescent compost d'ions metàl·lics que poden produir radiació estimulada barrejada en una matriu de cristall o vidre. Els làsers d'estat sòlid comuns inclouen làsers robí, làsers Nd:YAG, etc.
La substància de treball dels làsers semiconductors són materials semiconductors, com l'arsenur de gal·li, el fosfur d'indi, etc. Té els avantatges de la mida petita, el pes lleuger i l'alta eficiència. S'utilitza àmpliament en comunicacions, dispositius de visualització i altres camps.
Resum dels làsers comuns i les longituds d'ona corresponents:
| Laser Abreviatura anglesa | Longitud d'ona de sortida | Introducció bàsica |
| Làser ArF (làser de fluorur d'argó) | 193 nm | Es refereix a la llum làser emesa quan les molècules formades per una barreja de gas inert i gas halogen excitat pels feixos d'electrons passen al seu estat fonamental, generalment en la banda ultraviolada. |
| Làser KrF (làser de fluorur de criptó) | 248 nm | |
| Làser XeCl (làser excímer de clorur de xenó) | 308 nm | |
| XeF làser (làser excímer de fluorur de xenó) | 351 nm | |
| Làser HeCd (Làser d'heli-cadmi) | 325 nm, 441,6 nm | Es refereix a un làser la substància de treball del qual és el gas. A diferència dels làsers excímers, els làsers de gas són làsers produïts per transicions de nivell d'energia atòmica. Els principals mètodes d'excitació inclouen l'excitació elèctrica, l'excitació òptica, l'excitació pneumàtica, etc. Els làsers de gas generalment tenen una qualitat i coherència de feixos molt bona. |
| Làser N2 (làser de nitrogen, làser de nitrogen) | 337,1 nm, 427 nm | |
| Làser Ar+ (làser d'ions d'argó) | 488 nm, 514,5 nm, 351,1 nm, 363,8 nm | |
| HeNe Laser (làser d'heli-neó) | 632,8 nm, 543,5 nm, 594,1 nm, 611,9 nm, 1153 nm, 1523 nm | |
| Làser Cu (làser de vapor de coure) | 510,6 nm, 578,2 nm | |
| Làser Kr+ (làser d'ions de criptó) | 647,1 nm, 676,4 nm | |
| Làser Nd:YAG (quadre freqüència làser YAG) | 266 nm | Tots són làsers d'estat sòlid basats en granat d'itri d'alumini dopat amb neodimi (Nd:YAG), que és el làser més comú del mercat. La seva doble freqüència, triple freqüència i quàdruple freqüència estan determinades per la banda de 1064 nm de Nd:YAG. El cristall de duplicació de freqüència (cristall de freqüència doble LBO, cristall de freqüència tres vegades BBO, cristall de freqüència quatre vegades CLBO) prové de la duplicació de freqüència |
| Nd: làser YAG (freqüència triple làser YAG) | 354,7 nm | |
| Nd: làser YAG ( làser YAG doble freqüència) | 532 nm | |
| Làser Nd:YAG (làser YAG) | 946 nm, 1064 nm, 1319 | |
| làser robí | 694,3 nm | El primer làser inventat també és un tipus de làser sòlid. El material de treball és robí (triòxid d'alumini dopat amb crom trivalent). |
| Nd: làser de vidre (làser de vidre de neodimi) | 1060 nm | Un làser d'estat sòlid que utilitza vidre dopat amb ions de neodimi com a material de treball |
| Ho: làser YAG (làser YAG dopat amb holmi, làser holmi) | 2100 nm | Làser sòlid que utilitza com a material de treball granat d'itri d'alumini dopat amb holmi |
| Er:YAG Laser (làser YAG dopat amb erbi) | 2940 nm | Làser sòlid que utilitza com a material de treball granat d'itri d'alumini dopat amb erbi |
| làser de díode (làser semiconductors) | Múltiples longituds d'ona discretes | Un làser semiconductor és un dispositiu que utilitza un determinat material semiconductor com a substància de treball per generar llum làser. El seu principi de funcionament és generalment aconseguir que el corrent no sigui en equilibri entre les bandes d'energia dels materials semiconductors (banda de conducció i banda de valència), o entre les bandes d'energia dels materials semiconductors i els nivells d'energia d'impureses (acceptor o donant) mitjançant excitació elèctrica. Quan un gran nombre d'electrons en l'estat d'inversió del nombre de partícules es recombinen amb forats, es produeix l'emissió estimulada. |
| Làser QCL (Laser de cascada quàntica) | Múltiples longituds d'ona discretes | El principi bàsic es basa en làsers semiconductors a la banda infraroja, que pot ser DFB-QCL o DBR-QCL. |
| Làser DFB (Làser de comentaris distribuïts) | Múltiples longituds d'ona discretes | Un tipus de làser en el qual la xarxa està disposada dins d'un làser semiconductor, i les estructures periòdiques internes de la xarxa i el làser s'ajusten per dur a terme el cribratge del mode. |
| Làser DBR (làser de reflexió Bragg distribuït) | Múltiples longituds d'ona discretes | De manera similar als làsers DFB, la posició de la xarxa és diferent i la xarxa es troba fora de l'àrea activa del làser |
| vcsel làser (làser d'emissió de superfície de cavitat vertical) | Múltiples longituds d'ona discretes | Un làser basat en tecnologia de laminació de semiconductors que emet perpendicularment a la superfície del xip. A diferència de l'anterior tecnologia d'emissió de cara final de semiconductors, la qualitat del feix i el punt serà molt millor. Hi ha una varietat de longituds d'ona discretes, generalment a la banda vermella a l'infraroig proper. |
| SLED (Díodes emissors de llum superluminiscents) | Múltiples làsers de banda ampla de longitud d'ona discreta | Un làser d'amplada de banda ampla entre un làser semiconductor i un díode semiconductor. L'ample de banda d'un únic làser pot arribar a uns 40 nm. |
| Làser de supercontinu | Làsers de banda ampla de banda ampla | Un làser de sortida de banda ampla basat en làser de 1064 polsos que bombeja fibra de cristall fotònic. No es requereix cap sintonia. Emet simultàniament una cobertura d'espectre complet des de les bandes d'ultraviolada fins a l'infraroig proper, que cobreix generalment 400 nm-2400nm. Sortida d'espectre ampli, però la potència d'una sola banda és molt baixa en el rang de miliwatts |
| làser de color (dye laser) | Múltiples longituds d'ona, sintonitzables | La longitud d'ona es canvia o s'ajusta en funció del bombeig làser de polsos de substàncies colorants. La longitud d'ona està relacionada amb la substància colorant i cobreix longituds d'ona des de l'ultraviolat fins a l'infraroig. Els làsers de colorants de molècules de nitrogen són habituals, però els làsers de colorants rarament s'utilitzen avui dia. |
| OPO (Oscil·lador òptic paramètric) | Múltiples longituds d'ona, sintonitzables | Un làser de banda molt àmplia basat en l'efecte de mescla òptic, que pot cobrir la banda ultraviolada a l'infraroig mitjà |
| Ti: làser de safir (làser de safir de titani) | 650-1100nm sintonitzable, 800 nm | Basat en safir de titani (triòxid d'alumini dopat amb TI trivalent) com a material de treball, pot aconseguir una sortida contínua, una sortida de pols de nivell NS i una sortida de pols de nivell sub-PS, i la longitud d'ona de sortida es pot ajustar de 650 nm a 1100 nm. |
Informació de contacte:
Si teniu alguna idea, no dubteu a parlar amb nosaltres. Independentment d'on siguin els nostres clients i quins siguin els nostres requisits, seguirem el nostre objectiu d'oferir als nostres clients alta qualitat, preus baixos i el millor servei.
Email:info@loshield.com
Tel:0086-18092277517
Fax: 86-29-81323155
Wechat:0086-18092277517
